Nhà sản xuất Toshiba và SanDisk đã chính thức công bố bộ nhớ chính xác của NAND Flash 256 gigabit đầu tiên với dung lượng lên đến 32 GB, được trang bị 48 lớp BiCS 3D. Đây là công nghệ bộ nhớ Flash thế hệ mới nhất hiện giờ, ưu việt hơn hẳn so với các con chip bộ nhớ hiện nay cả về tốc độ lẫn khả năng tiêu thụ điện năng của nó
Ngoài ra, do sử dụng công nghệ BiCS 3D nên bộ nhớ của Toshiba và Sandisk sẽ cho tốc độ truyền tải dữ liệu nhanh chóng mà còn , an toàn hơn so với công nghệ 2D truyền thống được ra mắt trước đó .Được sản xuất dựa trên kích thước chỉ có 15 nm, thế hệ bộ nhớ mới có thể chứa được gấp đôi dung lượng so với bộ nhớ hiện tại khi ở cùng 1 kích thước. Trong khi đó, khả năng tiêu thụ điện của bộ nhớ này cũng được cho là tiết kiệm điện năng hơn dù cho các hãng sản xuất không thông báo ở số liệu cụ thể.
Theo dự kiến, những lô hàng mẫu đầu tiên của công nghệ bộ nhớ mới này sẽ được thương mại hóa trong tháng tới. Tuy nhiên, nó cũng rất hứa hẹn và dấy lên những kỳ vọng về đột phá về tốc độ trên iPhone 7 ra mắt trong năm sau.Toshiba và Sandisk không chỉ là người khổng lồ ở công nghệ chip nhớ Flash mà còn là đối tác lớn của Apple
Đăng ký:
Đăng Nhận xét (Atom)

